- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1
mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
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清純半導體 微碧半導體 第3代 SiC MOSFET
- 電能與智能是現代社會發展的兩大主題，電能如同工業文明的血液系統，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數字文明的神經網絡，構建數字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開關，功率半導體在構建現代社會能源體系中發揮著關鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準調控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經過七十年的發展，功率半導體經歷了兩次大的技術升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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202504 碳化硅 電動汽車
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數、獨特性能優勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
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安森美 碳化硅 共源共柵 cascode
- _____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術，其功率可超過500kW，電流高達1000A。市場需求下的挑戰一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務器農場就是一個能源需求更高的例子。為了有足夠的
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碳化硅 碳化硅MOSFET
- Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的?MOSFET?內阻（RDS(on)），進而減
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英飛凌 Enphase CoolMOS MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率（工業）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優勢，得以實現卓越的熱性
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Nexperia SiC MOSFET
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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三菱電機 SiC MOSFET
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體
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碳化硅 Cascode
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數據處理技術的進步和數字化轉型的加速，
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ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現在中國本地生產8英寸碳化硅這一目標穩步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
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- 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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- 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業協會的統計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬輛以上規模，產銷總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
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